Carburo di silicio (carborundum) di 0,6 mm

Il carburo di silicio, chiamato anche carborundum o carborundio (SiC) è un carburo di covalente estequiomería 1:1 e che ha una struttura del diamante, nonostante le diverse dimensioni della C e Se, si potrebbe prevenire il medesimo. In parte a causa della sua struttura, è quasi duro come il diamante, la realizzazione di una durezza sulla scala di Mohs di 9 a 9.5.

Ampiamente usato come carico-scorrimento ad alta resistenza all'abrasione nei trattamenti di pavimenti in resina epossidica. Particolarmente utilizzato con resine epossidiche, come Castropox 4307/1209 fanno le bande antiscivolo scale e piattaforme di treno.

Diametro medio delle particelle: 0.6 mm

E ' noto anche come "carborindón", una parola formata da carbo - e corindone, un minerale, famoso per la sua durezza.

Si tratta di un composto che può essere chiamato il solido lega, e che è basato sulla struttura ospitante (C in una forma di diamante) sono cambiati gli atomi da atomi di Silicio, a condizione che, quando la cavità è di sinistra è simile alle dimensioni di un atomo che si occupano.

Il carburo di silicio è un materiale semiconduttore (~ 2,4 V), e refrattario che ha molti vantaggi ad essere utilizzati in dispositivi che richiedono di lavorare in condizioni estreme di temperatura, la tensione e la frequenza, il Carburo di Silicio in grado di resistere a un gradiente di tensione o di campo elettrico fino a otto volte maggiore di quella del silicio o arseniuro di gallio senza il verificarsi della rottura, questo alto valore di campo elettrico, composizione ti fa essere di utilità nella produzione di componenti di funzionamento ad alta tensione e ad alta energia, come ad esempio: diodi, transistor, soppressori... e anche i dispositivi per il forno a microonde ad alta energia. A questo si aggiunge il vantaggio di essere in grado di collocare un'alta densità di imballaggio per i circuiti integrati.

Grazie all'alta velocità di saturazione dei portatori di carica (2,0x10⁷ cm^-1), è possibile impiegare SiC per dispositivi funzionanti a frequenze alte, se la Radio o Microonde. Infine una durezza di ~9 su scala Mohs fornisce resistenza meccanica che, insieme con le sue proprietà elettriche rendere i dispositivi basati su SiC offrono molti vantaggi rispetto ad altri semiconduttori.

Caratteristiche

• Decomposizione punto: 2.730 ° C
  
• Densità compattato (ISO 787/11): 3,21 g/cm3
• Indice di rifrazione: 2,55 (infrarossi, tutti i politipi)
  

Tipo di alimentazione

Carburo di silicio (carborundum) di 0,6 mmx 1 kg, fornito in sacchetto di plastica

Carburo di silicio (carborundum) di 0,6 mm x 5 kg, fornito in sacchetto di plastica

Carburo di silicio (carborundum) di 0,6 mm x 25 kg, fornito in sacchi