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El carburo de silicio, también llamado carborundo o carborundio (SiC) es un carburo covalente de estequiomería 1:1 y que tiene una estructura de diamante. Debido en parte a su estructura, es casi tan duro como el diamante, alcanzando durezas en la escala de Mohs de 9 a 9,5. Muy empleado como carga antideslizante de alta resistencia a la abrasión en tratamientos de suelos epoxi.
El carburo de silicio, también llamado carborundo o carborundio (SiC) es un carburo covalente de estequiomería 1:1 y que tiene una estructura de diamante, a pesar del diferente tamaño del C y Si, que podría impedir la misma. Debido en parte a su estructura, es casi tan duro como el diamante, alcanzando durezas en la escala de Mohs de 9 a 9,5.
Muy empleado como carga antideslizante de alta resistencia a la abrasión en tratamientos de suelos epoxi. Especialmente empleado con resinas epoxi como Castropox 4307/1209 para hacer bandas antideslizantes en escaleras y andenes de tren.
Diámetro medio de partícula: 0,6 mm
También es conocido como «carborindón», palabra formada por carbo- y corindón, mineral famoso por su dureza.
Es un compuesto que se puede denominar aleación sólida, y que se basa en que sobre la estructura anfitrión (C en forma de diamante) se cambian átomos de éste por átomos de Silicio, siempre y cuando el hueco que se deje sea similar al tamaño del átomo que lo va a ocupar.
El carburo de silicio es un material semiconductor (~ 2,4V) y refractario que presenta muchas ventajas para ser utilizado en dispositivos que impliquen trabajar en condiciones extremas de temperatura, voltaje y frecuencia, el Carburo de Silicio puede soportar un gradiente de voltaje o de campo eléctrico hasta ocho veces mayor que el silicio o el arseniuro de galio sin que sobrevenga la ruptura, este elevado valor de campo eléctrico de ruptura le hace ser de utilidad en la fabricación de componentes que operan a elevado voltaje y alta energía como por ejemplo: diodos, transistores, supresores..., e incluso dispositivos para microondas de alta energía. A esto se suma la ventaja de poder colocar una elevada densidad de empaquetamiento en los circuitos integrados.
Gracias a la elevada velocidad de saturación de portadores de carga (2,0x107 cm−1) es posible emplear SiC para dispositivos que trabajen a altas frecuencias, ya sean Radiofrecuencias o Microondas. Por último una dureza de ~9 en la escala de Mohs le proporciona resistencia mecánica que junto a sus propiedades eléctricas hacen que dispositivos basados en SiC ofrezcan numerosos beneficios frente a otros semiconductores.
Características
Carburo de Silicio (carborundo) de 0,6 mmx 1 kg, suministrado en bolsa plástica
Carburo de Silicio (carborundo) de 0,6 mm x 5 kg, suministrado en bolsa plástica
Carburo de Silicio (carborundo) de 0,6 mm x 25 kg, suministrado en saco de papel
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