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Le carbure de silicium (carborundum) de 0,6 mm

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WAA0155-0.6-1
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Le carbure de silicium, également appelé carborundum ou carborundio (SiC) est un carbure de covalente estequiomería 1:1 et qui a une structure de diamant. En partie en raison de sa structure, est presque aussi dur que le diamant, la réalisation d'une dureté sur l'échelle de Mohs de 9 à 9.5. Largement utilisé comme charge de glissement élevée à l'abrasion dans les traitements de sols époxy.

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Le carbure de silicium, également appelé carborundum ou carborundio (SiC) est un carbure de covalente estequiomería 1:1 et qui a une structure de diamant, en dépit de la taille différente de celle du C et Si, vous pouvez prévenir le même. En partie en raison de sa structure, est presque aussi dur que le diamant, la réalisation d'une dureté sur l'échelle de Mohs de 9 à 9.5.

Largement utilisé comme charge de glissement élevée à l'abrasion dans les traitements de sols époxy. Surtout utilisé avec des résines époxy comme Castropox 4307/1209 pour faire des bandes de glissement non escaliers et plates-formes de train.

Diamètre moyen de particule: 0,6 mm

Il est également connu comme "carborindón", un mot formé par carbo - et le corindon, un minéral célèbre pour sa dureté.

C'est un composé qui peut être appelé le solide en alliage, et qui est basé sur la structure d'accueil (C) dans une forme de diamant) sont modifiés afin d'atomes par atomes de Silicium, à condition que, lorsque le creux qui est à gauche est similaire à la taille de l'atome qui va l'occuper.

Le carbure de silicium est un matériau semi-conducteur (~ 2,4 V), et les réfractaires qui a beaucoup d'avantages à être utilisés dans des dispositifs qui impliquent de travailler dans des conditions extrêmes de température, de tension et de fréquence, le Carbure de Silicium peut résister à un gradient de voltage ou un champ électrique jusqu'à huit fois supérieure à celle du silicium ou l'arséniure de gallium sans la survenance de la rupture, cette valeur élevée de champ électrique ventilation vous fait d'être d'utilité dans la fabrication de composants fonctionnant à haute tension et à haute énergie, comme par exemple: diodes, des transistors, des suppresseurs..., et même des appareils à micro-ondes de haute énergie. À cela s'ajoute l'avantage d'être en mesure de placer une haute densité dans les circuits intégrés.

Grâce à la haute vitesse de saturation des porteurs de charge (2,0x107 cm-1), il est possible d'employer des SiC pour les appareils fonctionnant à des fréquences élevées, si la fréquence de la Radio ou micro-ondes. Enfin une dureté de ~9 sur l'échelle de Mohs fournit la résistance mécanique, qui, avec ses propriétés électriques de fabriquer des dispositifs basés sur des SiC offrent de nombreux avantages par rapport à d'autres semi-conducteurs.

Caractéristiques

  • Point de décomposition: 2.730 ° C
  • Densité compactée (ISO 787/11): 3,21 g/cm3
  • Indice de réfraction: 2,55 (infrarouge, tous les polytypes)

Type d'approvisionnement

Le carbure de silicium (carborundum) de 0,6 mmx 1 kg, livré dans un sac en plastique

Le carbure de silicium (carborundum) de 0,6 mm x 5 kg, livré dans un sac en plastique

Le carbure de silicium (carborundum) de 0,6 mm x 25 kg, fourni dans des sacs

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