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Carboneto de Silício (carborundo) de 0,6 mm

Carboneto de Silício (carborundo) de 0,6 mm

WAA0155-0.6-1
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O carboneto de silício, também chamado de metal ou carborundio (SiC) é um carboneto covalente de estequiomería 1:1 e que tem uma estrutura de diamante. Devido, em parte, a sua estrutura, é quase tão duro quanto o diamante, atingindo dureza na escala de Mohs de 9 a 9,5. Muito empregado como carga anti-derrapante de alta resistência à abrasão em tratamentos de pisos epóxi.

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O carboneto de silício, também chamado de metal ou carborundio (SiC) é um carboneto covalente de estequiomería 1:1 e que tem uma estrutura de diamante, apesar do tamanho diferente do C e si, que pode impedir a mesma. Devido, em parte, a sua estrutura, é quase tão duro quanto o diamante, atingindo dureza na escala de Mohs de 9 a 9,5.

Muito empregado como carga anti-derrapante de alta resistência à abrasão em tratamentos de pisos epóxi. Especialmente empregado com resinas epóxi como Castropox 4307/1209 para fazer faixas antiderrapantes nas escadas e plataformas de trem.

Diâmetro médio de partícula: 0,6 mm

Também é conhecido como "carborindón", palavra formada por carbo - e corindo, mineral conhecido por sua dureza.

É um composto que se pode denominar liga sólida, e que se baseia em que a estrutura anfitrião (C em forma de diamante) se mudam átomos deste por átomos de Silício, sempre e quando o vazio que se deixe ser semelhante ao tamanho do átomo que vai ocupar.

O carboneto de silício é um material semicondutor (~ 2,4 V) e refratário que apresenta tantas vantagens para ser usado em dispositivos que impliquem trabalhar em condições extremas de temperatura, tensão e freqüência, o Carboneto de Silício pode resistir a um gradiente de tensão ou de campo elétrico até oito vezes maior que o silício ou o arsenieto de gálio sem que ocorra a ruptura, este elevado valor de campo elétrico de ruptura faz-lhe ser de utilidade na fabricação de componentes que operam em elevado tensão e alta energia, como por exemplo: diodos, transistores, supressores..., e até mesmo um dispositivo para micro-ondas de alta energia. Acrescenta-se A isso a vantagem de poder colocar uma elevada densidade de empacotamento dos circuitos integrados.

Graças à elevada velocidade de saturação dos portadores de carga (2,0x107 cm-1) é possível usar SiC para dispositivos que trabalhem em altas freqüências, sejam Radiofreqüências ou micro-ondas. Por último uma dureza de ~9 na escala de Mohs lhe fornece resistência mecânica, o que, juntamente com suas propriedades elétricas fazem com que dispositivos baseados em SiC oferecem numerosas vantagens em relação a outros semicondutores.

Características

  • Ponto de ebulição: 2.730 ° C
  • Densidade compactada (ISO 787/11): 3,21 g/cm3
  • Índice de refração: 2,55 (infravermelho, todos os politipos)

Tipo de alimentação

Carboneto de Silício (carborundo) de 0,6 mmx 1 kg, fornecido em embalagem plástica

Carboneto de Silício (carborundo) de 0,6 mm x 5 kg, fornecido em embalagem plástica

Carboneto de Silício (carborundo) de 0,6 mm x 25 kg, fornecido em sacos

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8431252535224

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